VBT1080S-E3/8W
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT1080S-E3/8W
| Artikelnummer: | VBT1080S-E3/8W |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE SCHOTTKY 80V 10A TO263AB |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT1080S-E3/8W Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments VBT1080S-E3/8W.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 810 mV @ 10 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 80 V Technologie Schottky Supplier Device-Gehäuse TO-263AB (D²PAK) Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie - Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Paket Tape & Reel (TR) Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 600 µA @ 80 V Strom - Richt (Io) 10A Kapazität @ Vr, F - Grundproduktnummer VBT1080 VBT1080S-E3/8W Einzelheiten PDF [English] VBT1080S-E3/8W PDF - EN.pdf -
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